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半导体设备耗材碳化硅晶圆研磨量产技术
高速、高精度研磨加工备受关注的新一代半导体底板材料——碳化硅（SiC）晶圆的技术。
该技术采用了产业技术综合研究所（产总研）公开的技术。其特点是采用了不向碳化硅结晶施加多余压力的研磨加工，能够降低加工变形并提高晶圆面精度。表面光洁度为0.1nm，达到了外延膜生长所需的Ra值（0.3nm）以下；而且能够通过缩短研磨时间提高量产效率，有望成为备受期待的新一代半导体底板—— 碳化硅晶圆的实用化技术。除碳化硅外，还可用于加工市场正在快速扩大的白色LED底板材料蓝宝石、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）结晶等。
碳化硅与目前半导体底板材料的主流——硅（Si）相比，具有耐高电压、耐高温、电力损失小的优点，有望应用于发电及输电等电力设备、通信系统和工厂的电源装置、电车和汽车的驱动装置等需要控制高电压高电流的装置。但是，由于碳化硅硬度较高，难以进行研磨加工，其量产技术过去一直是大问题。
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